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 |
柔性材料电性能分析数字源表 柔性电子材料“动态”测试难点 柔性电子材料在使用过程中会被反复弯折扭曲,在此过程中材料表面和内部的应力状态和微观结构都会
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2023-12-21 |
 |
半导体特性曲线分析仪CV+IV测试仪 产品特点: 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力; 测量精度高,全量程下可达0.03%精度; 内置标准器件测试程序,直接调用测试简
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2023-12-19 |
 |
数字源表IV扫描光耦/mos静态电特性参数 传统实验教学存在的问题教学仪器老旧,故障率高,精度低,可重复性差;教学专用型仪表,功能单一,仪表复用率低,实验室占地面积
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2023-12-18 |
 |
半导体参数CV测试仪+CV测试系统 半导体参数CV测试仪+CV测试系统概述 电容-电压(C-V)测量广泛用于半导体参数测试方面,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化
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2023-12-15 |
 |
功率半导体器件CV测试仪 概述 电容-电压(C-V)测量广泛用于半导体参数测试方面,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压
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2023-12-12 |
 |
半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪 概述: SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速
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2023-12-05 |
 |
半导体参数分析仪1200V/100A 概述: SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速
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2023-11-29 |
 |
igbt测试设备igbt模块测试系统 普赛斯igbt测试设备igbt模块测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流
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2023-11-17 |